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隨著半導體材料和微電子器件的快速發(fā)展，對其內(nèi)部缺陷超高分辨無損檢測和分析的需求日益迫切。此前，基于聲、光、電信號響應(yīng)，已開發(fā)了多種亞表面微結(jié)構(gòu)成像表征技術(shù)。其中，電子束因為攜帶巨大動能和電荷，其與材料的作用微區(qū)約束在納米尺度上，且穿透深度最高可達微米級，是理想的激勵源之一，由此開發(fā)了包括電子束感生電流（EBIC）成像以及多種電子能譜等無損檢測技術(shù)，但相關(guān)技術(shù)或存在分辨率低、或樣品破壞性微加工以及微電極必需等特點，從而給半導體內(nèi)部缺陷評價帶來了相關(guān)局限。