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    Mg3Sb2-xBix外延薄膜的價(jià)帶電子結構調控及熱電性能優(yōu)化研究

    發(fā)布時(shí)間: 2024-06-03 15:02 | 【 【打印】【關(guān)閉】
    SEMINAR
    The State Key Lab of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure,
    Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences?
    中? 國? 科? 學(xué)? 院? 上? 海? 硅? 酸? 鹽? 研? 究? 所? 高? 性? 能? 陶? 瓷? 和? 超? 微? 結? 構? 國? 家? 重? 點(diǎn)? 實(shí)? 驗? 室
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    Mg3Sb2-xBix外延薄膜的價(jià)帶電子結構調控及熱電性能優(yōu)化研究

    柳??偉??研究員
    武漢理工大學(xué)
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    時(shí)間:2024年6月4日(星期二)10:00
    地點(diǎn):嘉定園區F樓5(1)會(huì )議室
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    歡迎廣大科研人員和研究生參與討論!
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    聯(lián)系人:仇鵬飛

    報告摘要: 

    ?????Mg3Sb2基材料是近年來(lái)發(fā)現的一類(lèi)新型熱電材料,被認為是下一代商用室溫熱電材料的重要候選材料。然而,p型Mg3Sb2基材料的電輸運性能優(yōu)化是領(lǐng)域難題,受限于(1)低的價(jià)帶簡(jiǎn)并度與態(tài)密度有效質(zhì)量和(2)室溫附近電導率不高以及不利的離化雜質(zhì)散射。通過(guò)先進(jìn)的角分辨光電子能譜(ARPES)技術(shù)以及電子能帶結構的理論計算和實(shí)驗研究,本研究闡明了Mg3Sb2-xBix薄膜中外延應變、SOC效應和本征點(diǎn)缺陷對其價(jià)帶電子結構與電輸運的影響規律和調控新機制。結果發(fā)現,利用可控的外延應變、Bi含量調控SOC可實(shí)現價(jià)帶電子結構的顯著(zhù)調控。ARPES電子結構表征和理論計算發(fā)現,InP襯底上生長(cháng)的面內壓縮應變的Mg3Sb2薄膜以及Mg3Sb0.5Bi1.5薄膜中獲得了高簡(jiǎn)并度價(jià)帶結構,顯著(zhù)提高了價(jià)帶的態(tài)密度有效質(zhì)量,并在p型材料中獲得熱電功率因子的大幅度提升。此外,通過(guò)變溫ARPES測量及掃描隧道譜(STS)揭示n型Mg間隙的熱激發(fā)是產(chǎn)生反常電輸運、劣化室溫附近熱電功率因子的重要機制,并發(fā)現p型Mg3Sb2薄膜中存在新穎的Lifshitz電子相變。本研究豐富了Mg3Sb2基材料的電子能帶結構調控的內涵,并為p型Mg3Sb2基材料的熱電性能優(yōu)化提供了重要借鑒。


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    主講人簡(jiǎn)介:

    ????? ,武漢理工大學(xué)材料復合新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室研究員,長(cháng)期從事熱電材料的多尺度調控及熱電輸運優(yōu)化研究,主持和參與了多項科技部國家重點(diǎn)研發(fā)計劃課題以及國家自然科學(xué)基金項目。近年來(lái),作為主要負責人完成了MBE-STM-ARPES研究平臺的建設,并基于熱電單晶薄膜以及人工異質(zhì)結和超晶格開(kāi)展了表界面效應、電子能帶結構優(yōu)化以及新穎的磁性?拓撲物性調控等方面的研究工作,發(fā)現了異質(zhì)結和超晶格有序構造以及界面作用優(yōu)化電輸運的一些調控規律和新機制。以第一作者/通訊作者在Sci. Adv.Phys. Rev. Lett.Natl. Sci. Rev.Adv. Mater.Adv. Funct. Mater.等上發(fā)表SCI論文30多篇,發(fā)表文章被引用3000余次,單篇最高他引700多次。曾獲國際熱電學(xué)會(huì )Goldsmid 獎、中國材料研究學(xué)會(huì )優(yōu)秀青年學(xué)者獎。