專利名稱:
過渡金屬摻雜鈉基鹵素閃爍晶體及其制備方法和應(yīng)用
專利類別:
中國發(fā)明
專利(申請)號:
202311317774.2
申請日期:
2023/10/12
第一發(fā)明人:
吳云濤
其他發(fā)明人:
宋植昊
專利授權(quán)日期:
2023/12/26