張海武 特聘
學(xué)歷:博士研究生
電話(huà):無(wú)
電子郵件:zhanghaiwu@mail.sic.ac.cn
通訊地址:上海市嘉定區和碩路585號
郵政編碼:201899
個(gè)人主頁(yè):無(wú)
個(gè)人簡(jiǎn)歷:
張海武,現任中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所信息功能材料與器件研究中心特聘研究員。2015年入選德國洪堡學(xué)者,2024年入職上海硅酸鹽研究所。主要從事原子尺度功能氧化物(鐵電/壓電/電致伸縮等)的表界面設計、構筑與集成研究,為5G/6G通訊、高端制造、集成芯片等領(lǐng)域的重大而迫切的需求提供新的解決方案。在Nature、Adv. Mater、J. Mater. Chem. A等國際學(xué)術(shù)期刊發(fā)表研究論文40余篇。受邀在A(yíng)dv. Mater. Interfaces撰寫(xiě)“先進(jìn)材料與界面名人堂(Hall of Fame) ”系列綜述1篇。研究工作獲得了Nature等學(xué)術(shù)期刊和Phys.org、?Chemical&Engineering News等國際知名新聞媒體的專(zhuān)題報道與正面評價(jià)。
主要研究方向:
1. 原子尺度模擬開(kāi)展功能材料的高通量篩選與設計
2. 氧化物異質(zhì)結構的精準構筑、組裝與集成
3. 基于氧化物界面的器件的設計與優(yōu)化
主要科研成果
近年代表性論著(zhù)(限5項):
1.?H. Zhang,#* N. Pryds,#* et al.,* Atomically engineered interfaces yield extraordinary electrostriction. Nature, 2022, 609, 695-700.?
2.?Y. Li,* H. Zhang,* N. Pryds,* et al., Stacking and twisting of freestanding complex oxide thin films, Adv. Mater, 2022, 34, 2203187.
3.?H. Zhang, I. E. Castelli,* S. Santucci, S. Sanna, N. Pryds, and V. Esposito,* Atomic-scale insights into electro-steric substitutional chemistry of cerium oxide, Phys. Chem. Chem. Phys, 2020, 22, 121900-21908.
4.?H. Zhang,* and R. A. De Souza,* Optimising oxygen diffusion in non-cubic, non-dilute perovskite oxides based on BiFeO3, J. Mater. Chem. A, 2019, 7, 25274-25278.
5.?H. Zhang,* A. H. H. Ramandan, and R. A. De Souza,* Atomistic simulations of ion migration in sodium bismuth titanate (NBT) materials: towards superior oxide-ion conductors, J. Mater. Chem. A, 2018, 6, 9116-9213.