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丁棟舟，博導，現任中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所新材料中試研發(fā)中心副主任、稀土氧化物閃爍晶體課題組長(cháng)。入選中國科學(xué)院關(guān)鍵技術(shù)人才（2017）、中國科學(xué)院特聘核心（2022）、國家重點(diǎn)研發(fā)計劃項目首席科學(xué)家（2022）。圍繞稀土氧化物閃爍晶體制備科學(xué)與高性能化的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，系統地開(kāi)展了構效關(guān)系研究“微結構（配位多面體畸變、離子選擇性占位/分凝）- 能量傳遞（能帶/能級調制、電聲子耦合、電子陷阱）-閃爍性能（各向異性、溫度/輻照環(huán)境適應性）”，確定了離子摻雜設計準則，闡明了能量傳遞路線(xiàn)圖，揭示了“電子陷阱-閃爍性能”關(guān)聯(lián)性，建立了析晶動(dòng)力學(xué)與晶格完整性的均衡機制，為超大尺寸高性能晶體制備與性能優(yōu)化奠定了基礎，研制的LYSO晶體支撐了高端應用。現擔任中國材料與試驗團體標準委員會(huì )（CSTM）光學(xué)晶體標委會(huì )主任、“光電材料領(lǐng)域委員會(huì )-人工晶體技術(shù)委員會(huì )-光電檢測技術(shù)委員會(huì )”委員，中國稀土學(xué)會(huì )稀土晶體專(zhuān)業(yè)委員會(huì )委員，國家新材料測試評價(jià)平臺先進(jìn)無(wú)機非金屬材料行業(yè)中心技術(shù)專(zhuān)家、稀土行業(yè)中心技術(shù)專(zhuān)家，《人工晶體學(xué)報》編委、《發(fā)光學(xué)報》青年編委，上海大學(xué)微電子學(xué)院兼職導師等職。

主要研究方向:

1. 高性能稀土氧化物閃爍晶體設計與制備科學(xué)

2. 閃爍晶體能量轉換、傳遞與發(fā)光物理機制

3. 高時(shí)空分辨輻射探測元器件

主要科研成果

近年承擔主要項目（限5項）：

1. 科技部國家重點(diǎn)研發(fā)計劃項目“超快稀土閃爍晶體及其關(guān)鍵制備技術(shù)”，2022.11-2025.10

2. 國家自然科學(xué)基金面上項目“高性能閃爍晶體GAGG:Ce的時(shí)間性能調控研究”，2023.1-2026.12。

3. 國家自然科學(xué)基金面上項目“鈰摻雜硅酸镥晶體的微結構與閃爍性能研究”，2015.1-2018.12。

4. 中國科學(xué)院關(guān)鍵技術(shù)人才項目， 2017.10-2020.9

5. 橫向委托開(kāi)發(fā)項目“超大口徑LYSO晶體研制”，2016.7-2020.3

近年代表性論著(zhù)（限5項）：

1. Aochen Zhang Zhongjun Xue, Jingjing Qu, Yuchong Ding, Shuwen Zhao* , Dongzhou Ding*, Novel phenomenon of scintillation performances and components in Mg co-/non-doped GAGG:Ce crystal, Crystal Growth & Design, 23(7) (2023) 5346-5354.

2. Zhongjun Xue, Lu Chen, Shuwen Zhao, Fan Yang, Ran An, Linwei Wang, Yi-Yang Sun*, He Feng*, Dongzhou Ding*. Enhancement of Scintillation Properties of LYSO:Ce Crystal by Al cooping. Crystal Growth & Design, 23(2023), 4562？4570.

3. Mayating Si, Mingqing Li, Zhongjun Xue, Jingyu Chang, He Feng*, Dongzhou Ding*, Qiang Wu*, Preparation, morphology and luminescence properties of micro-columnar structured Lu₂O₃:Eu films by LCVD method on quartz glass, Ceramics International, 49 (2023) 13058-13065.

4. Mingqing Li, Meng Meng, Jie Chen, Yiyang Sun, Guofeng Cheng, Lu Chen, Shuwen Zhao, Bo Wan, He Feng*, Guohao Ren, Dongzhou Ding**，Abnormal Site Preference of Al and Ga in Gd₃Al_2.3Ga_2.7O₁₂:Ce crystals, physica status solidi b - basic solid state physics, 258 (2021) 2000603.

5. Lu Chen, Dongzhou Ding *, Mauro Fasoli, Tiantian Wang, Xiaopu Chen, Shuwen Zhao, Jie Chen, Yiyang Sun, Jiang Li, Yuntao Wu, He Feng, Role of Yttrium in Thermoluminescence of LYSO:Ce Crystals, The Journal of Physical Chemistry C, 124(7) (2020) 17726-17732.

近年授權專(zhuān)利（限5項）：

1. 一種強吸電子元素摻雜稀土正硅酸鹽閃爍材料及其制備方法和應用（專(zhuān)利號：ZL 202011280944.0，授權日期：2022年2月8日）

2. SCINTILLATION MATERIAL OF RARE EARTH ORTHOSILICATE DOPED WITH STRONG ELECTRON-AFFINITIVE ELEMENT AND ITS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF（授權專(zhuān)利號：US_11567223_B2，授權日期：2023年1月31日）

3. 一種硅離子摻雜鋁鎵酸釓閃爍材料及其制備方法和應用（專(zhuān)利號：ZL 202011321956.3，授權日期：2022年2月8日）

4. 一種陰離子摻雜石榴石閃爍體及其制備方法與應用（授權專(zhuān)利號：ZL 202011575843.6，授權日期：2023年1月13日）

近年制定標準（限5項）：

1. 鈰摻雜硅酸釔镥閃爍晶體（標準編號T/SARE0002-2020，發(fā)布日期：2020年3月2日）

2. 鈰摻雜鋁鎵酸釓閃爍晶體（標準編號T/CSTM 00036-2020，發(fā)布日期：2020年8月3日）

3. 鈰摻雜硅酸釔閃爍晶體（標準編號：T/CSTM 00035-2020，發(fā)布日期：2020年8月3日）

4. 鈰摻雜硅酸釔镥閃爍晶體陣列（標準編號：T/CSTM 00032-2020，發(fā)布日期：2020年8月3日）