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個(gè)人簡(jiǎn)歷：

劉學(xué)超，現任中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心主任、空間材料與應用技術(shù)課題組組長(cháng)，空間站高溫材料科學(xué)實(shí)驗系統主任設計師。2011年9月入選中國科學(xué)院青年創(chuàng )新促進(jìn)會(huì )、2013年11月獲上海市青年科技啟明星。作為主任設計師負責中國空間站高溫材料科學(xué)實(shí)驗系統研制，攻克了低功耗長(cháng)壽命高效加熱技術(shù)、批量樣品管理技術(shù)、X射線(xiàn)實(shí)時(shí)觀(guān)察與防護技術(shù)、多功能樣品盒技術(shù)等多項關(guān)鍵技術(shù)，成功研制中國空間站高溫材料科學(xué)實(shí)驗系統，多項技術(shù)指標優(yōu)于國際空間站同類(lèi)裝置，2022年10月隨夢(mèng)天艙成功發(fā)射，目前已進(jìn)入在軌運行階段。作為主要成員開(kāi)發(fā)了高質(zhì)量低缺陷物理氣相輸運法（PVT）SiC晶體生長(cháng)、晶體加工、檢測表征技術(shù)，成套技術(shù)成果實(shí)現了轉移轉化。主持設計并研制了高純SiC晶體生長(cháng)裝置高溫化學(xué)氣相輸運（HTCVT）系統，解決了高純SiC晶體生長(cháng)關(guān)鍵技術(shù)，研制了高性能SiC光導開(kāi)關(guān)器件。現擔任全國空間科學(xué)及其應用標準技術(shù)委員會(huì )委員、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟委員、無(wú)機材料學(xué)報青年編委、人工晶體學(xué)報青年編委等職。

主要研究方向:

1. 空間材料實(shí)驗裝置與空間晶體材料

2. 寬禁帶半導體材料與器件

主要科研成果

近年承擔主要項目（限5項）：

1. 國家載人航天工程項目“載人空間站高溫材料科學(xué)實(shí)驗系統”，2016.1-2023.12

2. 科技部重點(diǎn)研發(fā)項目“空間環(huán)境中新材料制備原理與特種成形技術(shù)”課題四“有機/無(wú)機功能材料的空間合成與應用性能研究的研究”，2021.12 - 2025.11

3. 科技部重點(diǎn)研發(fā)項目“中低壓SiC材料器件及其在電動(dòng)汽車(chē)充電設備中的應用示范”課題一“大尺寸低缺陷低電阻率碳化硅單晶制備技術(shù)研究”，2016.7 - 2021.6

4. 上海市科委科技創(chuàng )新行動(dòng)計劃項目“極端尺寸高性能人工晶體及元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應用”，2020.10 - 2022.9

5. 上海市科委科技創(chuàng )新行動(dòng)計劃項目“高純SiC晶體制備與離子束剝離研究”，2017.7 - 2020.6

近年代表性論著(zhù)（限5項）：

1. Ziqiang Hao, Xuechao Liu*, Xinfeng Zhu, Minghui Zhang, Meibo Tang, Xiuhong Pan, Growth and characterization of uniformly distributed triangular single-crystalline hexagonal boron nitride grains on liquid copper surface. Materials Research Express, 2022, 9, 045009-045018

2. Meibo Tang, Xuechao Liu, Minghui Zhang, Xiuhong Pan, Scaling behavior of non-volume-dependent heat capacity in solids, Solid State Communication, 2022, 341, 114581

3. Zhengchao Qi, Tingxiang Xu, Xuechao Liu*, Ding Wang, Effect of impurities and defects on the thermal conductivity of single crystal SiC, Journal of Synthetic Crystal, 2021, 50(5), 816-824

4. Tingxiang Xu, Xuechao Liu*, Shiyi Zhuo, Wei Huang, Pan Gao, Jun Xin, Ewei Shi, Effect of thermal annealing on the defects and electrical properties of semi-insulating 6H-SiC, Journal of Crystal Growth, 2020, 531, 125399

5. Shiyi Zhuo, Xuechao Liu*, Wei Huang, Haikuan Kong, Jun Xin, and Erwei Shi, Photoluminescence properties of N and B codoped fluorescent 4H-SiC and 6H-SiC single crystals. AIP Advances, 2018, 8, 125001

近年授權專(zhuān)利（限5項）：

1. 晶體生長(cháng)用籽晶下置式裝置，專(zhuān)利號：ZL201911109067.8，授權日期：2022年3月29日

2. 一種晶體原位碳化退火裝置及方法，專(zhuān)利號：ZL201910641432.3，授權日期：2021年3月16日

3. 一種碳化硅晶體生長(cháng)過(guò)程中調節和旋轉坩堝的裝置及方法，專(zhuān)利號：ZL201810629902.X，授權日期：2020年12月11日

4. 晶體生長(cháng)用坩堝以及釋放碳化硅晶體熱應力的方法，專(zhuān)利號：ZL201810069412.9，授權日期：2020年10月23日

5. 一種大尺寸電阻率可調的碳化硅晶體生長(cháng)方法，專(zhuān)利號：ZL201710213529.5，授權日期：2019年6月11日