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										許桂生
										研究員
									
    
									
    
										
    學(xué)歷：博士研究生
    
										
    電話(huà)：021-69987753
    
										
    電子郵件：gshxu@mail.sic.ac.cn
    
										
    通訊地址：上海市嘉定區城北路215號
    
										
    郵政編碼：201899
    
										
    個(gè)人主頁(yè)：無(wú)
    
									
    
								
    						   
							
    			  
							
    
								
    個(gè)人簡(jiǎn)歷：
    
								
    許桂生，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所研究員，博士生導師，人工晶體研究中心鐵電壓電晶體課題組組長(cháng)。長(cháng)期從事弛豫鐵電單晶材料研究，在弛豫鐵電單晶材料制備與性能研究，尤其是在高居里溫度弛豫鐵電單晶研制方面取得突出成績(jì)。在國際上率先發(fā)現PMN-PT晶體中存在單斜相，為研究弛豫鐵電單晶高壓電性能的起源提供了材料結構基礎；率先采用獨特的Bridgman法生長(cháng)技術(shù)成功獲得大尺寸、高質(zhì)量的三元體系Pb(In1/2Nb1/2)O3- Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (簡(jiǎn)寫(xiě)PIMNT)弛豫鐵電單晶,顯著(zhù)地提升了相關(guān)器件的技術(shù)性能，促使PIMNT單晶成為繼第1代弛豫鐵電單晶PMN-PT后的可大規模商業(yè)應用的第2代弛豫鐵電單晶；采用改進(jìn)的生長(cháng)技術(shù)，較好地解決了弛豫鐵電單晶均勻性差的難題，建立了大尺寸弛豫鐵電單晶工程化制備技術(shù)，PMN-PT, PIMNT和 Mn:PIMNT等三代弛豫鐵電單晶均實(shí)現小批量生產(chǎn)和商業(yè)應用；在國際上率先用Bridgman法生長(cháng)出尺寸較大、性能優(yōu)異的無(wú)鉛壓電單晶(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3和（K0.5Na0.5）NbO3-LiNbO3，促進(jìn)了無(wú)鉛壓電單晶的研究和發(fā)展。獲軍隊科技進(jìn)步二等獎（2014）。
     

     
     

    主要研究方向:
     

    1. 新型高性能鐵電、壓電單晶的制備技術(shù)；
  
     

    2. 壓電晶體的性能優(yōu)化與應用基礎； 
  
     

    3. 鐵電、壓電新單晶材料探索；
  
     

    4. 高性能無(wú)鉛壓電單晶材料研究。
  
     

     
     

    主要科研成果
     

    近年承擔主要項目（限5項）：
     

    1. KGJ進(jìn)口替代項目 “xxx鐵電單晶的研制”，2018.1-2023.12
  
     

    2. 中國科學(xué)院先導項目子課題“新型材料深海換能器”，2018.1-2023.12
  
     

    3. ZB發(fā)展部慧眼行動(dòng)項目“xxx鐵電單晶研制”，2023.1-2024.12
  
     

     
     

    近年代表性論著(zhù)（限5項）：
     

    1. Guisheng Xu, Kai Chen, Danfeng Yang, Junbao Li, Growth and electrical properties of large size Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 crystals prepared by the vertical Bridgman technique, Applied Physics Letters, 2007, 90, 032901.
     

    2. Kai Chen, Guisheng Xu, Danfeng Yang, Xiaofeng Wang, Junbao Li, Dielectric and piezoelectric properties of lead-free 0.95(K0.5Na0.5)NbO3–0.05LiNbO3 crystals grown by the Bridgman method, Journal of Applied physics, 2007,101, 044103.
     

    3. Chenguang Deng, Lianxu Ye, Chongjun He, Guisheng Xu et al. Reporting Excellent Transverse Piezoelectric and Electro-Optic Effects in Transparent Rhombohedral PMN-PT Single Crystal by Engineered Domains, Advanced Materials. 2021, 2103013.
     

    4. Jinfeng Liu，Guisheng Xu, Xiu Zhu，and Meilin Chen，Dielectric and Piezoelectric Properties of Mn-Doped Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-PbTiO3 Piezoelectric Single Crystals with MPB Composition，Crystals 2022, 12, 567.
     

    5. Zhihong Lei, Yan Chen, Guisheng Xu, Jinfeng Liu, Maodan Yuan, Lvming Zeng, Xuanrong Ji and Dawei Wu, Micromachining of High Quality PMN–31%PT Single Crystals for High-Frequency (>20 MHz) Ultrasonic Array Transducer Applications, Micromachines 2020, 11, 512.
     

     
     

    近年授權專(zhuān)利（限5項）：
     

    1. 一種適用于壓電單晶的極化方法，專(zhuān)利號：ZL201910058668.4，授權日期：2022年3月8日
     

    2. 一種用于弛豫鐵電單晶生長(cháng)的原料的制備方法，專(zhuān)利號：ZL202110016870.8，授權日期：2021年1月7日
     

    3. 四元系弛豫型壓電單晶壓電單晶材料及其生長(cháng)方法，專(zhuān)利號：ZL201310178543.8, 授權日期：2018年7月20日
     

    4. 三元系弛豫型壓電單晶材料及其生長(cháng)方法，專(zhuān)利號：ZL201310178564.X, 授權日期：2016年8月10日
     

    5. 三元系弛豫基鐵電壓電單晶及其生長(cháng)方法，專(zhuān)利號：ZL201310352429.2，授權日期：2017年3月1日